Микросхема GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

Технические параметры:

Технология/семейство Gen 4

Наличие встроенного диода Да

Максимальное напряжение КЭ ,В 1000

Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60

Импульсный ток коллектора (Icm), А 120

Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 170

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 330

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 700

Рабочая температура (Tj), °C -55…+150

Корпус 2-21F2C

Вес, г 9.8

Товар временно не числится в наличии. Страница сохранена для подбора совместимости; напишите нам, и мы проверим замену, поступление или аналог.

Описание и подбор совместимости подготовлены ВЛ-ТЕХНИК. При использовании материалов указывайте источник.